***** LAB1 TECHNOLOGIES SA *****
- FGH60N60 -
El FGH60N60 es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potencia y eficiencia, diseñado para aplicaciones donde se requiere conmutación rápida y bajo nivel de pérdidas.
Ideal para: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) Conversores DC/AC, DC/DC Controladores de motor Soldadoras UPS Aplicaciones industriales de alta potencia
Características técnicas:
Parámetro Valor
Tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Marca ON Semiconductor
Modelo FGH60N60
Tensión colector-emisor (Vces) 600 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 120A
Colector de Corriente Continua a 100 C: 60A
Potencia disipada (Pd) 300/600 W
Encapsulado TO-247
Frecuencia de conmutación Alta frecuencia
Tecnología IGBT de tercera generación
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Hacemos Factura A y B
Características adicionales:
- Es marca destacada: No
- Motivo de GTIN vacío: El producto no tiene código registrado
- Tipo de encapsulado: TO-247
- Impuesto interno: 0 %
- Es marca TOM: No
- Condición del ítem: Nuevo
- Corriente máxima soportada: 120 A
- Potencia máxima soportada: 600 W
- Voltaje máximo soportado: 600V
- Formato de venta: Unidad
- Altura del paquete del seller: 13 cm
- Largo del paquete del seller: 3 cm
- Tipo de paquete del seller: Con embalaje adicional
- Peso del paquete del seller: 20 g
- Ancho del paquete del seller: 10 cm
- SKU: FGH60N60
- Código del transistor: FGH60N60
- Unidades por pack: 1
- IVA: 21 %
