***** LAB1 TECHNOLOGIES SA *****
Transistor MOSFET IRF640 tipo N-Channel de alta potencia, encapsulado TO-220
- IRF640-N-Channel-TO-220 -
Este MOSFET IRF640 es un transistor de efecto de campo de potencia, ideal para aplicaciones de conmutación , amplificación y PWM en una variedad de circuitos electrónicos. Con su encapsulado TO-220, este dispositivo ofrece una excelente disipación térmica, lo que lo hace adecuado para proyectos de alta potencia.
Características principales:
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Encapsulado: TO-220
- Tensión de drain source (Vds_max): 200V
- Corriente máxima de drain (Id_max): 18A
- Resistencia en estado de encendido (Rds_on): 0.18Ohm
- Charge Gate (Qg): 67 nC
- Aplicaciones: Conmutación de alta potencia, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, y más.
***
Hacemos Factura A y B
Características adicionales:
- Es marca destacada: No
- Motivo de GTIN vacío: El producto no tiene código registrado
- Tipo de encapsulado: Orificio pasante (TH)
- Impuesto interno: 0 %
- Es marca TOM: No
- Condición del ítem: Nuevo
- Corriente máxima soportada: 18 A
- Potencia máxima soportada: 125 W
- Voltaje máximo soportado: 200V
- Modelo: IRF640
- Formato de venta: Unidad
- SKU: TRAN-IRF640-TO-220
- Código del transistor: IRF640
- Unidades por pack: 1
- IVA: 21 %
