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Transistor MOSFET IRF830 tipo N-Channel de alta potencia, encapsulado TO-220
- IRF830-N-Channel-TO-220 -
Este MOSFET IRF830 es un transistor de efecto de campo de potencia, ideal para aplicaciones de conmutación , amplificación y PWM en una variedad de circuitos electrónicos. Con su encapsulado TO-220, este dispositivo ofrece una excelente disipación térmica, lo que lo hace adecuado para proyectos de alta potencia.
Características principales:
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Encapsulado: TO-220
- Tensión de drain source (Vds_max): 500V
- Corriente máxima de drain (Id_max): 4.5A
- Resistencia en estado de encendido (Rds_on): 1.5Ohm
- Charge Gate (Qg): 45 nC
- Aplicaciones: Conmutación de alta potencia, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, y más.
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Hacemos Factura A y B
Características adicionales:
- Es marca destacada: No
- Motivo de GTIN vacío: El producto no tiene código registrado
- Tipo de encapsulado: Orificio pasante (TH)
- Impuesto interno: 0 %
- Es marca TOM: No
- Condición del ítem: Nuevo
- Corriente máxima soportada: 4.5 A
- Potencia máxima soportada: 74 W
- Voltaje máximo soportado: 500V
- Modelo: IRF830
- Formato de venta: Unidad
- SKU: TRAN-IRF830-TO-220
- Código del transistor: IRF830
- Unidades por pack: 1
- IVA: 21 %
